Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 2A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 329 pF @ 25 V |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Серия | OptiMOS™ |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 218µA |
| Напряжение сток-исток | 100 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 2W (Ta) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Корпус производителя | PG-TSOP6-6 |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|