Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 2A, 10V |
|---|---|
| Конфигурация | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 15V |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | OptiMOS™ |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 11µA |
| Напряжение сток-исток | 30V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A |
| Power - Max | 500mW |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Корпус производителя | PG-TSOP6-6 |
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Qualification | AEC-Q101 |