BSL211SP

Infineon Technologies

BSL211SP

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6

УстаревшийSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs67mOhm @ 4.7A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds654 pF @ 15 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияOptiMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 25µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.7A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность2W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Корпус производителяPG-TSOP6-6

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)