BSD816SNH6327

Infineon Technologies

BSD816SNH6327

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6

В производстве6-VSSOP, SC-88, SOT-363Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 1.4A, 2.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.6 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds180 pF @ 10 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 3.7µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.4A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность500mW (Ta)

Механические

КорпусBulk
Package / Case6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус производителяPG-SOT363-6

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)