BSD223P

Infineon Technologies

BSD223P

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363

Устаревший6-VSSOP, SC-88, SOT-363Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Базовый Part NumberBSD223
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.62nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds56pF @ 15V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияOptiMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 1.5µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C390mA
Power - Max250mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус производителяPG-SOT363-PO

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)