BSC882N03LSGATMA1

Infineon Technologies

BSC882N03LSGATMA1

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 34V 8TDSON

Устаревший8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.2mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3700 pF @ 15 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток34 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителяPG-TDSON-8-1

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)