BSC150N03LDGATMA1

Infineon Technologies

BSC150N03LDGATMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 20A, 10V
Базовый Part NumberBSC150
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1100pF @ 15V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияOptiMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A
Power - Max26W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяPG-TDSON-8-4

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)