BSC0910NDIATMA1

Infineon Technologies

BSC0910NDIATMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 25V 11A/31A TISON8

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.6mOhm @ 25A, 10V
Базовый Part NumberBSC0910
Конфигурация2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET FeatureLogic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4500pF @ 12V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияOptiMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A, 31A
Power - Max1W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителяPG-TISON-8

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)