BSC030N10NS5SCATMA1

Infineon Technologies

BSC030N10NS5SCATMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

TRENCH >=100V

В производстве8-PowerWDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs3mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6500 pF @ 50 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
Серия448
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 115µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C171A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность188W (Tc)

Механические

Package / Case8-PowerWDFN
Корпус производителяPG-WSON-8-2

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)