BSB053N03LP G

Infineon Technologies

BSB053N03LP G

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 17A/71A 2WDSON

Устаревший3-WDSONАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.3mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2700 pF @ 15 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияOptiMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Ta), 71A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.3W (Ta), 42W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case3-WDSON
Корпус производителяMG-WDSON-2, CanPAK M™

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 150°C (TJ)