Общие
| Производитель | Infineon Technologies |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 30mA, 8V |
| Power - Max | 580mW |
| Frequency - Transition | 7.5GHz |
| Gain | 12.5dB ~ 13.5dB |
Механические
| Корпус | Box |
|---|---|
| Package / Case | MICRO-X1 |
| Корпус производителя | MICRO-X1 |
Среда
| Рабочая температура | 200°C (TJ) |
|---|