BFP196WE6327

Infineon Technologies

BFP196WE6327

Аналоговые и силовые компоненты

RF TRANSISTOR, L BAND, NPN

В производствеSC-82A, SOT-343Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f)1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Product StatusActive
Transistor TypeNPN

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)12V
Current - Collector (Ic) (Max)150mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 50mA, 8V
Power - Max700mW
Frequency - Transition7.5GHz
Gain12.5dB ~ 19dB

Механические

КорпусBulk
Package / CaseSC-82A, SOT-343
Корпус производителяPG-SOT343-4

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)