Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.5mOhm @ 25A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1470 pF @ 25 V |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Серия | HEXFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 55 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 49A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 3.8W (Ta), 94W (Tc) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус производителя | D²PAK |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
|---|