AUIRFN8459TR

Infineon Technologies

AUIRFN8459TR

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 40V 50A PQFN

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.9mOhm @ 40A, 10V
Базовый Part NumberAUIRFN8459
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2250pF @ 25V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияHEXFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 50µA

Электрические

Напряжение сток-исток40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A
Power - Max50W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителяPQFN (5x6)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)