Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 68A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5660 pF @ 25 V |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | HEXFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 100 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Ta), 114A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 3.3W (Ta), 100W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | DirectFET™ Isometric L8 |
| Корпус производителя | DirectFET™ Isometric L8 |
| Рабочая температура | -55°C~175°C(TJ) |
|---|