Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38mOhm @ 27A, 20V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1738 pF @ 800 V |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Технология | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Vgs (Max) | +23V, -5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.1V @ 8.6mA |
| Напряжение сток-исток | 1200 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V, 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 69A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 326W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Qualification | AEC-Q101 |