AIKB30N65DF5ATMA1

Infineon Technologies

AIKB30N65DF5ATMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IC DISCRETE 650V TO263-3

В производствеTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge70 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)67 ns
Switching Energy330µJ (on), 100µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C25ns/188ns
Test Condition400V, 15A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 30A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)55 A
Current - Collector Pulsed (Icm)90 A
Power - Max188 W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяPG-TO263-3

Среда

Рабочая температура-40°C~175°C(TJ)