94-3316

Infineon Technologies

94-3316

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 55V 2A SOT223

В производствеTO-261-4, TO-261AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs140mOhm @ 2A, 10V
Базовый Part NumberIRLL014
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds230 pF @ 25 V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияHEXFET®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Ta)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Корпус производителяSOT-223