Общие
| Channel Type | 3-Phase |
|---|---|
| Driven Configuration | Half-Bridge |
| Gate Type | IGBT, SiC MOSFET |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Number of Drivers | 6 |
| Product Status | Active |
| Rise / Fall Time (Typ) | 35ns, 20ns |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 350mA, 650mA |
|---|---|
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 1200 V |
| Logic Voltage - VIL, VIH | 0.7V, 2.3V |
| Напряжение питания | 13V ~ 20V |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width), 24 Leads |
| Корпус производителя | PG-DSO-24-21 |
Среда
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C (TA) |
|---|