6ED003L06 - HALF-BRIDGE BASED MO
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Channel Type | 3-Phase |
|---|---|
| Driven Configuration | Half-Bridge |
| Gate Type | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Number of Drivers | 6 |
| Product Status | Active |
| Rise / Fall Time (Typ) | 60ns, 26ns |
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 165mA, 375mA |
|---|---|
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 620 V |
| Logic Voltage - VIL, VIH | 1.1V, 1.7V |
| Напряжение питания | 13V ~ 17.5V |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Корпус производителя | PG-TSSOP-28 |
| Рабочая температура | -40°C~105°C(TA) |
|---|