62-0095PBF

Name: 62-0095PBF
Brand: Infineon Technologies

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V 10A/12A 8SOIC

УстаревшийАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.4mOhm @ 10A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	900 pF @ 10 V
Производитель	Infineon Technologies
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.55V @ 250µA

Напряжение сток-исток	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Ta), 12A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность	2W

Корпус	Tube

Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)