Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SRAM - Synchronous, QDR II+ |
| Базовый Part Number | 5962F1120102 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SRAM - Synchronous, QDR II+ |
| Базовый Part Number | 5962F1120102 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Объем памяти | 72Mbit |
|---|---|
| Формат памяти | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Тактовая частота | 250 MHz |
| Напряжение питания | 1.7V ~ 1.9V |
| Memory Organization | 4M x 18 |
| Корпус | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 165-BFCPGA |
| Корпус производителя | 165-CCGA (21x25) |
| Рабочая температура | -55°C~125°C(TA) |
|---|