2N7002DWH6327XTSA1

Infineon Technologies

2N7002DWH6327XTSA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363

В производстве6-VSSOP, SC-88, SOT-363Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 500mA, 10V
Базовый Part Number2N7002
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds20pF @ 25V
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияOptiMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300mA
Power - Max500mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус производителяPG-SOT363-PO

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)