2EDL8123G3CXTMA1

Infineon Technologies

2EDL8123G3CXTMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

INT. POWERSTAGE/DRIVER

В производстве10-VFDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part Number2EDL8123
Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
Тип входаNon-Inverting
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)45ns, 45ns

Электрические

Current - Peak Output (Source, Sink)3A, 5A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)120 V
Напряжение питания8V ~ 17V

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case10-VFDFN Exposed Pad
Корпус производителяPG-VSON-10-4

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 125°C (TJ)