Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Channel Type | Independent |
|---|---|
| Driven Configuration | Half-Bridge |
| Gate Type | N-Channel MOSFET |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Number of Drivers | 2 |
| Product Status | Active |
| Rise / Fall Time (Typ) | 45ns, 45ns |
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 4A, 5A |
|---|---|
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 120 V |
| Напряжение питания | 8V ~ 17V |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-VDFN Exposed Pad |
| Корпус производителя | PG-VDSON-8-4 |
| Рабочая температура | -40°C~125°C(TJ) |
|---|