Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | 2ED2106 |
|---|---|
| Channel Type | Independent |
| Driven Configuration | High-Side and Low-Side |
| Gate Type | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Тип входа | CMOS, TTL |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Number of Drivers | 2 |
| Product Status | Active |
| Rise / Fall Time (Typ) | 100ns, 35ns |
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 290mA, 700mA |
|---|---|
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 675 V |
| Logic Voltage - VIL, VIH | 1.1V, 1.7V |
| Напряжение питания | 10V ~ 20V |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус производителя | PG-DSO-8-69 |
| Рабочая температура | -40°C~125°C(TA) |
|---|