Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Channel Type | Independent |
|---|---|
| Driven Configuration | High-Side and Low-Side |
| Gate Type | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Тип входа | Inverting |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Number of Drivers | 2 |
| Product Status | Active |
| Rise / Fall Time (Typ) | 20ns, 20ns |
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 1A, 2A |
|---|---|
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 650 V |
| Logic Voltage - VIL, VIH | 0.8V, 2V |
| Напряжение питания | 14V ~ 18V |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Корпус производителя | PG-DSO-18-2 |
| Рабочая температура | -40°C~125°C(TJ) |
|---|