1EDN8511BXUSA1

Infineon Technologies

1EDN8511BXUSA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IC GATE DRV HALF BRD/LOW SOT23-6

В производствеSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part Number1EDN8511
Channel TypeSingle
Driven ConfigurationLow-Side
Gate TypeN-Channel, P-Channel MOSFET
Тип входаInverting, Non-Inverting
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Number of Drivers1
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)6.5ns, 4.5ns
СерияEiceDriver™

Электрические

Current - Peak Output (Source, Sink)4A, 8A
Logic Voltage - VIL, VIH1.2V, 1.9V
Напряжение питания8V ~ 20V

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6
Корпус производителяPG-SOT23-6-2

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 150°C (TJ)