1EBN1001AEXUMA1

Infineon Technologies

1EBN1001AEXUMA1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IC GATE DRV HI/LOW SIDE DSO14-43

В производстве14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part Number1EBN1001
Channel TypeSingle
Driven ConfigurationHigh-Side or Low-Side
Gate TypeIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
ПроизводительInfineon Technologies
Тип монтажаSurface Mount
Number of Drivers1
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)50ns, 90ns
СерияAutomotive, AEC-Q100, EiceDriver™

Электрические

High Side Voltage - Max (Bootstrap)1200 V
Logic Voltage - VIL, VIH1.5V, 3.5V
Напряжение питания13V ~ 18V

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Корпус производителяPG-DSO-14-43

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 150°C (TJ)