Общие
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 5A, 5V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 25 V |
| Производитель | Harris Corporation |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Напряжение сток-исток | 120 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 60W (Tc) |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 |
| Корпус производителя | TO-220-3 |
Среда
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|