RFM12P08

Harris Corporation

RFM12P08

Аналоговые и силовые компоненты

P-CHANNEL POWER MOSFET

В производствеTO-204AA, TO-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 6A, 10V
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 25 V
ПроизводительHarris Corporation
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность100W (Tc)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-204AA, TO-3
Корпус производителяTO-3

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)