RFD8P06ESM

Harris Corporation

RFD8P06ESM

Аналоговые и силовые компоненты

P-CHANNEL POWER MOSFET

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

FET TypeP-Channel
ПроизводительHarris Corporation
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяTO-252-3 (DPAK)