RF1S9630SM

Harris Corporation

RF1S9630SM

Аналоговые и силовые компоненты

P-CHANNEL POWER MOSFET

В производствеTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

FET TypeP-Channel
ПроизводительHarris Corporation
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)

Электрические

Напряжение сток-исток200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяTO-263AB