RF1S22N10SM

Harris Corporation

RF1S22N10SM

Аналоговые и силовые компоненты

N-CHANNEL POWER MOSFET

В производствеTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

FET TypeN-Channel
ПроизводительHarris Corporation
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяTO-263AB