MWS5114D2

Harris Corporation

MWS5114D2

Память и хранение данных

IC SRAM 4KBIT PARALLEL 18SBDIP

В производстве18-CDIP (0.300", 7.62mm)Память и хранение данных

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Тип памятиVolatile
ТехнологияSRAM - Synchronous
Время доступа250 ns
Базовый Part NumberMWS5114
ПроизводительHarris Corporation
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Время цикла записи250ns

Электрические

Объем памяти4Kbit
Формат памятиSRAM
Memory InterfaceParallel
Напряжение питания4.5V ~ 6.5V
Memory Organization1K x 4

Механические

КорпусBulk
Package / Case18-CDIP (0.300", 7.62mm)
Корпус производителя18-SBDIP

Среда

Рабочая температура0°C~70°C(TA)