Общие
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SRAM - Synchronous |
| Время доступа | 250 ns |
| Базовый Part Number | MWS5114 |
| Производитель | Harris Corporation |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Время цикла записи | 250ns |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Тип памяти | Volatile |
|---|---|
| Технология | SRAM - Synchronous |
| Время доступа | 250 ns |
| Базовый Part Number | MWS5114 |
| Производитель | Harris Corporation |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Время цикла записи | 250ns |
| Объем памяти | 4Kbit |
|---|---|
| Формат памяти | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Напряжение питания | 4.5V ~ 6.5V |
| Memory Organization | 1K x 4 |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 18-CDIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус производителя | 18-SBDIP |
| Рабочая температура | 0°C~70°C(TA) |
|---|