IRFD9113

Harris Corporation

IRFD9113

Аналоговые и силовые компоненты

0.6A, -80V, 1.6 OHM, P-CHANNEL

В производстве4-DIP (0.300", 7.62mm)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 300mA, 10V
Базовый Part NumberIRFD9113
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds250 pF @ 25 V
ПроизводительHarris Corporation
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C600mA (Ta)

Механические

КорпусBulk
Package / Case4-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус производителя4-DIP, Hexdip, HVMDIP