IRFD213

Name: IRFD213
Brand: Harris Corporation

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP

Устаревший4-DIP (0.300", 7.62mm)Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	2Ohm @ 270mA, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	140 pF @ 25 V
Производитель	Harris Corporation
Тип монтажа	Through Hole
Product Status	Obsolete
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

Напряжение сток-исток	250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	450mA (Ta)

Рабочая температура	-55°C~150°C(TJ)