IRFD123

Name: IRFD123
Brand: Harris Corporation

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP

Устаревший4-DIP (0.300", 7.62mm)Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	270mOhm @ 780mA, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	360 pF @ 25 V
Производитель	Harris Corporation
Тип монтажа	Through Hole
Product Status	Obsolete
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

Напряжение сток-исток	100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.3A (Ta)