HGTD8P50G1S

Harris Corporation

HGTD8P50G1S

Аналоговые и силовые компоненты

8A, 500V P-CHANNEL IGBT

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge30 nC
Тип входаStandard
ПроизводительHarris Corporation
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 3A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)500 V
Current - Collector (Ic) (Max)12 A
Current - Collector Pulsed (Icm)18 A
Power - Max66 W

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяTO-252AA

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)