Общие
| Производитель | Harris Corporation |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | В производстве |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 750mV @ 50mA, 500mA |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 750 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2mA, 2V |
| Power - Max | 500 mW |
| Frequency - Transition | 120MHz |
Механические
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-92-3 |
Среда
| Рабочая температура | -55°C ~ 135°C (TJ) |
|---|