SSF6912

Good-Ark Semiconductor

SSF6912

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET, N-CHANNEL, 60V, 5A, SOT

В производствеSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds725 pF @ 15 V
ПроизводительGood-Ark Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.9A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6
Корпус производителяSOT-23-6L

Среда

Рабочая температура-50°C ~ 150°C (TJ)