SSF2319CJ1

Good-Ark Semiconductor

SSF2319CJ1

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.45A, -2

В производствеSOT-523Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 300mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds40 pF @ 10 V
ПроизводительGood-Ark Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C450mA (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность312mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-523
Корпус производителяSOT-523

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C