GSFW02009

Good-Ark Semiconductor

GSFW02009

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.85A, -2

В производствеSC-101, SOT-883Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs640mOhm @ 550mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds58 pF @ 10 V
ПроизводительGood-Ark Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C850mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность690mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSC-101, SOT-883
Корпус производителяSOT-883

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)