Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 3A, 4.5V |
|---|---|
| FET Feature | Standard |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34.7nC @ 6V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2609pF @ 10V |
| Производитель | Good-Ark Semiconductor |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 20V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 6-SMD, No Lead |
| Корпус производителя | 6-CSP (2.15x1.66) |
| Рабочая температура | 150°C |
|---|