Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 3A, 10V |
|---|---|
| Конфигурация | 2 P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 820pF @ 15V |
| Производитель | Good-Ark Semiconductor |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 30V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A (Ta), 8A (Tc) |
| Power - Max | 1.9W (Ta), 7.4W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Корпус производителя | 6-PPAK (2x2) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|