GSF2301

Name: GSF2301
Brand: Good-Ark Semiconductor

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -20V

В производствеTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 3A, 4.5V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	405 pF @ 10 V
Производитель	Good-Ark Semiconductor
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позиции	В производстве
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±12V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA

Напряжение сток-исток	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность	1W (Ta)

Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителя	SOT-23

Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)