GT100N12D5

Goford Semiconductor

GT100N12D5

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 35A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3050 pF @ 60 V
ПроизводительGoford Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток120 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C70A
Макс. рассеиваемая мощность120W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителя8-DFN (5x6)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)