Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 3A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 212 pF @ 50 V |
| Производитель | Goford Semiconductor |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 100 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A |
| Макс. рассеиваемая мощность | 2W |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус производителя | SOT-23-3L |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|