GT090N06D52

Goford Semiconductor

GT090N06D52

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN

В производстве8-DFN (4.9x5.75)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 14A, 10V
Базовый Part NumberGT090N06
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1011pF @ 30V
ПроизводительGoford Semiconductor
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияSGT
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tc)
Power - Max62W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-DFN (4.9x5.75)
Корпус производителя8-PowerTDFN

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)