Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 20A, 18V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2565 pF @ 1000 V |
| Производитель | Goford Semiconductor |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | -10V, +20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 10mA |
| Напряжение сток-исток | 1200 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 395W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-4 |
| Корпус производителя | TO-247-4L |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
|---|